Установка выращивания монокристаллов ГРАНАТ-ЭЧ
Установка предназначена для выращивания высокотемпературных оксидных монокристаллов методом Чохральского.
Примечание. Установка может быть выполнена с индукционным или резистивным нагревом.
Максимальные размеры выращиваемого кристалла, ммДиаметр, мм | 140 |
Длина, мм | 300 |
Внутренние характеристики рабочей камерыДиаметр, мм | 600 |
Высота, мм | 1200 |
Остаточное давление в рабочей камере
| 7,5х10-4 мм ртутного столба
|
Расход газов в камереАргон | 0,4-1,2 м3/ч |
Кислород | 0,008-0,024 м3/ч
|
Привод перемещения штока обеспечиваетРабочую скорость
| 0,2-20 мм/ч
|
Скорость установочного перемещения
| 20-200 мм/мин
|
Рабочий ход вытягивания
| 500±10 мм
|
Габаритные размеры установкиДлина, мм
| 1835
|
Ширина, мм
| 1410
|
Высота, мм
| 2745
|
Масса, кг
| 1370
|
Назад в раздел